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Artigo de periodico
Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces (2012)
Lourenço, S. A.; Teodoro, M. D.; González-Borrero, P. P.; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LOURENÇO, S. A. et al. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, v. 407, n. 12, p. 2131-2135, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Lourenço, S. A., Teodoro, M. D., González-Borrero, P. P., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Marega Júnior, E., & Salamo, G. J. (2012). Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, 407( 12), 2131-2135. doi:10.1016/j.physb.2012.02.020
NLM
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Vancouver
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Trabalho de evento-anais periodico
Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films (2012)
Iwamoto, W.; Zanatta, Antonio Ricardo; Rettori, C.; Pagliuso, P. G.
Source: Physica B. Conference titles: Frontiers of Condensed Matter - FCM. Unidade: IFSC
Subjects: FOTÔNICA, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
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ABNT
IWAMOTO, W. et al. Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films. Physica B. Amsterdam: Elsevier BV. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.12.071. Acesso em: 07 maio 2024. , 2012
APA
Iwamoto, W., Zanatta, A. R., Rettori, C., & Pagliuso, P. G. (2012). Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films. Physica B. Amsterdam: Elsevier BV. doi:10.1016/j.physb.2011.12.071
NLM
Iwamoto W, Zanatta AR, Rettori C, Pagliuso PG. Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 16): 3222-3224.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.12.071
Vancouver
Iwamoto W, Zanatta AR, Rettori C, Pagliuso PG. Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 16): 3222-3224.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.12.071
Artigo de periodico
Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te (2003)
Gratens, X; Bindilatti, V.; Oliveira Jr., N. F.; Golacki, Z
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GRATENS, X et al. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te. Physica B, v. 329, p. 1249-1250, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Gratens, X., Bindilatti, V., Oliveira Jr., N. F., & Golacki, Z. (2003). Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te. Physica B, 329, 1249-1250. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
NLM
Gratens X, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Golacki Z. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2003 ; 329 1249-1250.[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Vancouver
Gratens X, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Golacki Z. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2003 ; 329 1249-1250.[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Artigo de periodico
An ab initio investigation on nickel impurities in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
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ABNT
LARICO, R et al. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.010
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Artigo de periodico
Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Physica B. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.008
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Artigo de periodico
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.187
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Artigo de periodico
Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308-310, p. 489-492, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2002). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308-310, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308, p. 489-492, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302-303, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302-303, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Artigo de periodico
High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures (1998)
Wang, Y J; Jiang, Z X; McCombe, Bruce D; Peeters, F M; Wu, X G; Hai, Guo-Qiang; Eustis, T J; Schaff, W
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANG, Y J et al. High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures. Physica B, v. 256-258, p. 292-299, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00572-9. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Wang, Y. J., Jiang, Z. X., McCombe, B. D., Peeters, F. M., Wu, X. G., Hai, G. -Q., et al. (1998). High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures. Physica B, 256-258, 292-299. doi:10.1016/s0921-4526(98)00572-9
NLM
Wang YJ, Jiang ZX, McCombe BD, Peeters FM, Wu XG, Hai G-Q, Eustis TJ, Schaff W. High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures [Internet]. Physica B. 1998 ;256-258292-299.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00572-9
Vancouver
Wang YJ, Jiang ZX, McCombe BD, Peeters FM, Wu XG, Hai G-Q, Eustis TJ, Schaff W. High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures [Internet]. Physica B. 1998 ;256-258292-299.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00572-9

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